яңалыклар

Алмаз чыбык кисү технологиясе шулай ук ​​консолидацияләнгән абразив кисү технологиясе буларак та билгеле. Бу электрокаплау яки чайыр бәйләү ысулы белән корыч чыбык өслегенә консолидацияләнгән алмаз абразивын куллану, турыдан-туры кремний таякчыгы яки кремний коелмасы өслегенә тәэсир итүче алмаз чыбык кисү эффектына ирешү өчен ваклау ясау. Алмаз чыбык кисү тиз кисү тизлеге, югары кисү төгәллеге һәм түбән материал югалту үзенчәлекләренә ия.

Хәзерге вакытта бриллиант чыбык кисү кремний пластинасы өчен монокристалл базар тулысынча кабул ителде, ләкин ул шулай ук ​​пропаганда процессында да очрый, алар арасында бәрхет ак төс иң еш очрый торган проблема булып тора. Шуңа күрә, бу мәкаләдә бриллиант чыбык кисү монокристалл кремний пластинасы бәрхет ак төс проблемасын ничек булдырмаска игътибар бирелә.

Алмаз чыбык кисү монокристалл кремний пластинасын чистарту процессы чыбык пычкысы белән киселгән кремний пластинасын смола пластинасыннан аерудан, резина тасмасын алудан һәм кремний пластинасын чистартудан гыйбарәт. Чистарту җиһазлары, нигездә, алдан чистарту машинасыннан (дезинфекцияләү машинасы) һәм чистарту машинасыннан тора. Алдан чистарту машинасының төп чистарту процессы: ашату-сиптергеч-сиптергеч-ультрафиолет чистарту-дезинфекцияләү-чиста су белән чайкау-җитештермәү. Чистарту машинасының төп чистарту процессы: ашату-чиста су белән чайкау-чиста су белән чайкау-селте белән юу-селте белән юу-чиста су белән чайкау-чиста су белән чайкау-алдан сусызландыру (әкрен күтәрү) - киптерү-тукландыру.

Монокристалл бәрхет ясау принцибы

Монокристалл кремний пластинасы - монокристалл кремний пластинасының анизотроп коррозиясенең үзенчәлеге. Реакция принцибы түбәндәге химик реакция тигезләмәсе:

Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2 ↑

Асылда, замша формалашу процессы түбәндәгечә: төрле кристалл өслекләрендә коррозия тизлеге төрле булган NaOH эремәсе, (100) өслек коррозия тизлеге (111) дан югарырак, шуңа күрә (100) анизотроп коррозиядән соң монокристалл кремний пластинасына, ахыр чиктә өслектә (111) дүрт яклы конус, ягъни "пирамида" структурасы барлыкка килә (1 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә). Структура формалашканнан соң, яктылык пирамида авышлыгына билгеле бер почмакта төшкәндә, яктылык авышлыкка башка почмакта чагылачак, икенчел яки күбрәк сеңү барлыкка китерәчәк, шулай итеп кремний пластинасы өслегендәге чагылышны, ягъни яктылыкны тоту эффектын киметәчәк (2 нче рәсемне карагыз). "Пирамида" структурасының зурлыгы һәм бердәмлеге ни кадәр яхшырак булса, тоту эффекты шулкадәр ачык күренәчәк, һәм кремний пластинасының өслек эмитраты шулкадәр түбәнрәк булачак.

1 нче рәсем: Селте җитештергәннән соң монокристалл кремний пластинасының микроморфологиясе

2 нче рәсем: "Пирамида" структурасының яктылык тозагы принцибы

Монокристалл агарту анализы

Ак кремний пластинасында электрон микроскоп ярдәмендә ак пластинаның пирамида микроструктурасы нигездә формалашмаган, һәм өслектә "балавызсыман" калдык катламы бар кебек тоелган, ә шул ук кремний пластинасының ак өлкәсендә замшаның пирамида структурасы яхшырак формалашкан (3 нче рәсемне карагыз). Әгәр монокристалл кремний пластинасы өслегендә калдыклар булса, өслектә калдык мәйдан "пирамида" структурасы зурлыгы һәм бердәмлеге булачак, нормаль мәйданның эффекты җитәрлек түгел, нәтиҗәдә калдык бәрхет өслегенең чагылдыруы нормаль мәйданга караганда югарырак, нормаль мәйдан белән чагыштырганда югары чагылдыручанлыктагы мәйдан визуаль рәвештә ак төстә чагылыш таба. Ак мәйданның таралу формасыннан күренгәнчә, ул зур мәйданда даими яки даими формада түгел, ә бары тик җирле мәйданнарда гына. Кремний пластинасы өслегендәге җирле пычраткыч матдәләр чистартылмаган булырга тиеш, яки кремний пластинасының өслек торышы икенчел пычрану аркасында килеп чыккан булырга тиеш.

3 нче рәсем: Ак бәрхет кремний пластиналарының төбәк микроструктура аермаларын чагыштыру

Алмаз чыбык белән кисүче кремний пластинасының өслеге шомарак һәм зыян азрак (4 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә). Эретмә кремний пластинасы белән чагыштырганда, селте һәм алмаз чыбык белән кисүче кремний пластинасы өслегенең реакция тизлеге эретмә кисүче монокристалл кремний пластинасына караганда акрынрак, шуңа күрә өслек калдыкларының бәрхет эффектына йогынтысы ачыграк күренә.

4 нче рәсем: (A) Эретмәле киселгән кремний пластинасының өслек микрографиясе (B) алмаз чыбык белән киселгән кремний пластинасының өслек микрографиясе

Алмаз чыбык белән киселгән кремний пластинасы өслегенең төп калдык чыганагы

(1) Суыткыч матдә: алмаз чыбык кисү суыткычының төп компонентлары - өслек актив матдә, диспергатор, деформацион агент һәм су һәм башка компонентлар. Бик яхшы сыйфатлы кисү сыекчасы яхшы суспензия, дисперсия һәм җиңел чистарту сәләтенә ия. Өслек актив матдәләр гадәттә яхшырак гидрофиль үзлекләргә ия, аларны кремний пластинасын чистарту процессында җиңел чистартырга мөмкин. Бу өстәмәләрнең суда өзлексез болгату һәм әйләнеше күп күләмдә күбек барлыкка китерә, нәтиҗәдә суыткыч агымы кими, суыту сыйфатына тәэсир итә, һәм күбек һәм хәтта күбек ташу проблемалары туа, бу куллануга җитди тәэсир итә. Шуңа күрә суыткыч матдә гадәттә деформацион агент белән кулланыла. Деформацион эффектны тәэмин итү өчен, традицион силикон һәм полиэфир гадәттә начар гидрофиль. Судагы эреткеч бик җиңел адсорбцияләнә һәм аннан соң чистартканда кремний пластинасы өслегендә кала, бу ак таплар проблемасына китерә. Һәм суыткычның төп компонентлары белән яхшы туры килми, шуңа күрә аны ике компонентка бүлергә кирәк, Төп компонентлар һәм күбек чыгару матдәләре суга өстәлгән, Куллану процессында, күбек хәленә карап, күбеккә каршы матдәләрне куллануны һәм дозасын санлы рәвештә контрольдә тота алмый, Аноаминг матдәләренең артык дозасын җиңел генә рөхсәт итә ала, Кремний пластинасы өслеге калдыкларының артуына китерә, Эшләтү дә уңайсызрак, Ләкин чимал һәм күбек чыгару матдәсе чималларының түбән бәясе аркасында, Шуңа күрә көнкүреш суыткычларының күбесе бу формула системасын куллана; Башка суыткыч яңа күбек чыгару матдәсен куллана, Төп компонентлар белән яхшы туры килә ала, Өстәмәләр юк, Аның күләмен нәтиҗәле һәм санлы рәвештә контрольдә тота ала, Артык куллануны нәтиҗәле рәвештә булдырмый ала, Күнегүләр дә бик уңайлы, Дөрес чистарту процессы белән, Аның калдыкларын бик түбән дәрәҗәләргә кадәр контрольдә тотарга мөмкин, Япониядә һәм берничә җирле җитештерүче бу формула системасын куллана, Ләкин, чимал бәясе югары булу сәбәпле, Аның бәя өстенлеге ачык түгел.

(2) Җиләм һәм сумала версиясе: алмаз чыбыгын кисү процессының соңгы этабында, керү очындагы кремний пластинасы алдан киселгән, чыгыш очындагы кремний пластинасы әле киселмәгән, иртә киселгән алмаз чыбыгы резина катламына һәм сумала пластинасына кисә башлаган, кремний таяк җилеме һәм сумала тактасы икесе дә эпоксид сумала продуктлары булганлыктан, аның йомшару температурасы нигездә 55 һәм 95℃ арасында. Әгәр резина катламының яки ​​сумала пластинасының йомшару температурасы түбән булса, ул кисү процессында җиңел генә җылынырга һәм йомшарырга һәм эрергә мөмкин, корыч чыбыкка һәм кремний пластина өслегенә беркетелә, алмаз сызыгының кисү сәләте кими, яки кремний пластиналары алынырга һәм сумала белән буялырга мөмкин, беркетелгәннән соң, аларны юып алу бик авыр, мондый пычрану күбесенчә кремний пластинасының кырые янында була.

(3) Кремний порошогы: Алмаз чыбык белән кисү процессында күп күләмдә кремний порошогы барлыкка киләчәк, кисү белән, эретмә суыткыч порошогы күләме арта барачак. Порошок җитәрлек зур булганда, кремний өслегенә ябышачак, һәм алмаз чыбык белән кисү кремний порошогы зурлыгы һәм зурлыгы аның кремний өслегенә җиңелрәк адсорбцияләнүенә китерә, чистартуны катлауландыра. Шуңа күрә суыткыч сыекчаның яңартылуын һәм сыйфатын тәэмин итегез, суыткыч сыекчадагы порошок күләмен киметегез.

(4) чистарту матдәсе: хәзерге вакытта алмаз чыбык кисү җитештерүчеләре күбесенчә бер үк вакытта известь кисү кулланалар, күбесенчә известь кисү алдыннан юу, чистарту процессы һәм чистарту матдәсе һ.б. кулланалар, кисү механизмыннан бер алмаз чыбык кисү технологиясе, сызык, суыткыч һәм известь кисүнең тулы комплектын формалаштыру зур аермага ия, шуңа күрә тиешле чистарту процессы, чистарту матдәсенең дозасы, формуласы һ.б. алмаз чыбык кисү өчен тиешле көйләүләрне ясарга тиеш. Чистарту матдәсе мөһим аспект булып тора, башлангыч чистарту матдәсенең өслек актив матдәсе, селтелелек алмаз чыбык кисү силикон пластинасын чистарту өчен яраклы түгел, алмаз чыбык силикон пластинасының өслеге өчен, максатчан чистарту матдәсенең составы һәм өслек калдыклары өчен, һәм чистарту процессы белән бергә кабул ителергә тиеш. Югарыда әйтелгәнчә, известь кисү өчен күбекне кисү матдәсенең составы кирәк түгел.

(5) Су: алмаз чыбык кисү, алдан юу һәм чистарту өчен ташып торган суда пычрак бар, ул кремний пластинасы өслегенә адсорбцияләнергә мөмкин.

Бархет чәчне ак төскә кертү проблемасын киметү өчен киңәшләр

(1) Суыткыч сыеклыкны яхшы дисперсия белән куллану өчен, һәм кремний пластинасы өслегендәге суыткыч компонентлары калдыкларын киметү өчен аз калдыклы күбексезләндергеч матдә кулланырга кирәк;

(2) Кремний пластинасының пычрануын киметү өчен яраклы җилем һәм сумала пластинасын кулланыгыз;

(3) Кулланылган суда җиңел калдыклар булмасын өчен, суыткыч сыекча саф су белән суытыла;

(4) Алмаз чыбык белән киселгән кремний пластинасы өслеге өчен активлык һәм чистарту эффекты күбрәк яраклы чистарту чарасын кулланыгыз;

(5) Кисү процессында кремний порошогы күләмен киметү өчен, пластинаның кремний пластина өслегендәге кремний порошогы калдыкларын нәтиҗәле контрольдә тоту өчен, алмаз линиясе суыткычын онлайн торгызу системасын кулланыгыз. Шул ук вакытта, ул шулай ук ​​​​алдан юу вакытында су температурасын, агымын һәм вакытын яхшырта ала, кремний порошогын вакытында юарга тәэмин итә.

(6) Кремний пластина чистарту өстәленә куелганнан соң, аны шунда ук эшкәртергә һәм бөтен чистарту процессында силикон пластинаны дымлы тотарга кирәк.

(7) Кремний пластинасы сагызны чистарту процессында өслекне дымлы тота һәм табигый рәвештә кипми. (8) Кремний пластинасын чистарту процессында, һавада калу вакытын мөмкин кадәр кыскартырга мөмкин, бу кремний пластинасы өслегендә чәчәк атуын булдырмаска ярдәм итә.

(9) Чистарту хезмәткәрләре бөтен чистарту процессы барышында кремний пластинасы өслегенә турыдан-туры кагылмаска һәм бармак эзе басмасын өчен резина перчаткалар кияргә тиеш.

(10) [2] сылтамасында, батарея очы 1:26 күләм нисбәте буенча (3% NaOH эремәсе) водород перекисе H2O2 + селте NaOH чистарту процессын куллана, бу проблеманың барлыкка килүен нәтиҗәле рәвештә киметә ала. Аның принцибы ярымүткәргеч кремний пластинасының SC1 чистарту эремәсенә (гадәттә сыеклык 1 дип атала) охшаш. Аның төп механизмы: кремний пластина өслегендәге оксидлашу пленкасы H2O2 оксидлашуы нәтиҗәсендә барлыкка килә, ул NaOH белән коррозияләнә, һәм оксидлашу һәм коррозия кабат-кабат була. Шуңа күрә кремний порошогы, сумала, металл һ.б. белән бәйләнгән кисәкчәләр дә коррозия катламы белән чистарту сыеклыгына төшә; H2O2 оксидлашуы аркасында пластина өслегендәге органик матдә CO2, H2O га таркала һәм чыгарыла. Бу чистарту процессында кремний пластина җитештерүчеләре бу процессны алмаз чыбык кисү монокристалл кремний пластинасын чистарту процессында кулланалар, кремний пластинасын җирле һәм Тайваньда һәм башка батарея җитештерүчеләре бәрхет ак проблемасы турында зарлануларны партияләп кулланалар. Шулай ук ​​аккумулятор җитештерүчеләре дә шундый ук бәрхет алдан чистарту процессын кулланганнар, алар бәрхет ак төсенең күренүен нәтиҗәле контрольдә тоталар. Күренгәнчә, бу чистарту процессы кремний пластинасын чистарту процессына өстәлә, кремний пластина калдыкларын бетерү һәм аккумулятор очындагы ак чәч проблемасын нәтиҗәле хәл итү өчен кулланыла.

йомгак

Хәзерге вакытта бриллиант чыбык кисү монокристалл кисү өлкәсендә төп эшкәртү технологиясенә әйләнде, ләкин бәрхет ак төс ясау проблемасын алга этәрү процессында кремний пластинасы һәм батарея җитештерүчеләре борчуга сала, бу батарея җитештерүчеләрен бриллиант чыбык кисү кремний пластинасының бераз каршылык күрсәтүенә китерә. Ак өлкәне чагыштыру анализы ярдәмендә, ул, нигездә, кремний пластинасы өслегендәге калдыклардан килеп чыга. Күзәнәктәге кремний пластинасы проблемасын яхшырак булдырмас өчен, бу мәкаләдә кремний пластинасының өслек пычрануының мөмкин булган чыганаклары, шулай ук ​​җитештерүдәге яхшырту тәкъдимнәре һәм чаралары анализлана. Ак таплар саны, өлкәсе һәм формасы буенча сәбәпләрне анализларга һәм яхшыртырга мөмкин. Аеруча водород перекисе + селте чистарту процессын куллану тәкъдим ителә. Уңышлы тәҗрибә күрсәткәнчә, ул бриллиант чыбык кисү кремний пластинасын бәрхет агарту проблемасын нәтиҗәле рәвештә булдырмаска мөмкин, бу тармакның гомуми хезмәткәрләре һәм җитештерүчеләре өчен белешмә буларак кулланыла.