Яңалыклар

Алмаз чыбык кисү технологиясе консолидация абразив кисү технологиясе буларак та билгеле.Бу корыч чыбык өслегендә консолидацияләнгән бриллиант абразивны электроплатировкалау яки резин бәйләү ысулын куллану, кисү эффектына ирешү өчен, кремний таяк яки кремний ингот өслегендә турыдан-туры эш итүче бриллиант чыбык.Алмаз чыбык кисү тиз кисү тизлеге, югары кисү төгәллеге һәм аз материал югалту үзенчәлекләренә ия.

Хәзерге вакытта, бриллиант чыбык кисү кремний вафаты өчен бер кристалл базары тулысынча кабул ителде, ләкин ул шулай ук ​​популярлаштыру процессында очрый, алар арасында бәрхет ак иң еш очрый торган проблема.Шуңа карап, бу кәгазьдә бриллиант чыбык кисү монокристалл кремний вафат бәрхет ак проблемасын ничек кисәтергә икәне турында әйтелә.

Алмаз чыбык кисү монокристалл кремний вафинны чистарту процессы - чыбык плитәсе белән киселгән кремний вафинны резин тәлинкәсеннән чыгару, каучук полосаны чыгару һәм кремний вафинын чистарту.Чистарту җиһазлары, нигездә, чистарту алдыннан (дегумминг машинасы) һәм чистарту машинасы.Чистарту алдыннан машинаның төп чистарту процессы: тукландыру-спрей-спрей-УЗИ чистарту-дегумминг-чиста су чистарту.Чистарту машинасының төп чистарту процессы: чиста су белән чистарту - чиста су юу - алкалы юу - алкалы юу - чиста су чистарту - чиста су чайкау - дегидрация алдыннан (әкрен күтәрү) - киптерү.

Бер кристалл бәрхет ясау принцибы

Монокристалл кремний вафины - монокристалл кремний вафинның анисотроп коррозиясенә хас.Реакция принцибы - химик реакция тигезләмәсе:

Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2 ↑

Асылда, краска формалашу процессы: төрле кристалл өслегенең төрле коррозия тизлеге өчен NaOH эремәсе, (100) өслекнең коррозия тизлеге (111), шулай итеп (100) анисотроп коррозиядән соң монокристалл кремний вафасына, ахыр чиктә өслектә барлыкка килгән. (111) дүрт яклы конус, ягъни "пирамида" структурасы (1 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә).Структурасы барлыкка килгәннән соң, яктылык билгеле бер почмакта пирамида кырыена туры килгәндә, яктылык башка почмактагы тау битендә чагылачак, икенчел яки күбрәк үзләштерү формалаштыра, шулай итеп кремний вафаты өслегендә чагылышны киметә. , ягъни җиңел тозак эффекты (2 нче рәсемне кара)."Пирамида" структурасының зурлыгы һәм бердәмлеге яхшырак булса, тозак эффекты шулкадәр ачык, һәм кремний вафиның өслеге түбәнрәк.

Рәсем 1: Алкалы җитештергәннән соң монокристалл кремний ваферның микроморфологиясе

Рәсем 2: "Пирамида" структурасының җиңел тозак принцибы

Бер кристалл агартуга анализ

Ак кремний ваферында электрон микроскопны сканерлап, бу өлкәдәге ак вафинның пирамида микросруктурасы нигездә формалашмаган, һәм өслегендә "балавыз" калдыклары катламы булган, ә пирамида структурасы. шул ук кремний вафинның ак мәйданында яхшырак формалашкан (3 нче рәсемне кара).Монокристалл кремний вафер өслегендә калдыклар булса, өслектә "пирамида" калдык мәйданы булачак, бердәмлек барлыкка килү һәм нормаль мәйданның эффекты җитәрлек түгел, нәтиҗәдә калдык бәрхет өслегенең чагылышы гадәти мәйданнан югарырак, ак төстә чагылган визуальдагы гадәти мәйдан белән чагыштырганда югары чагылдыру өлкәсе.Ак мәйданның тарату формасыннан күренгәнчә, ул зур мәйданда регуляр яки регуляр форма түгел, ә җирле өлкәләрдә генә.Кремний вафаты өслегендәге җирле пычраткыч матдәләр чистартылмаган булырга тиеш, яисә кремний вафатының өслеге икенчел пычрану аркасында килеп чыккан булырга тиеш.

Рәсем 3: Бәрхет ак кремний вафаларындагы региональ микросруктура аермаларын чагыштыру

Алмаз чыбык кисүче кремний вафиның өслеге шома һәм зыян кечерәк (4 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә).Миномет кремний вафаты белән чагыштырганда, эшкәртү һәм бриллиант чыбык кисүче кремний вафин өслегенең миномристалл кремний вафаты белән чагыштырганда әкренрәк, шуңа күрә бәрхет эффектына өслек калдыкларының йогынтысы ачык күренә.

4 нче рәсем:

Алмаз чыбык белән киселгән кремний вафер өслегенең төп калдык чыганагы

(1) Суыткыч: бриллиант чыбык кисүче суыткычның төп компонентлары - сирфактив, дисперсант, зарарлы һәм су һәм башка компонентлар.Искиткеч эффектив кисүче сыеклык яхшы асылмалы, дисперсияле һәм җиңел чистарту сәләтенә ия.Сирфактантлар гадәттә яхшырак гидрофилик үзлекләргә ия, кремний вафинны чистарту процессында чистарту җиңел.Бу кушылмаларның суда өзлексез кузгатылуы һәм әйләнеше күп санлы күбек җитештерәчәк, нәтиҗәдә суыткыч агымының кимүе, суыту эшенә тәэсир итү, һәм җитди күбек һәм хәтта күбек ташу проблемалары куллануга җитди йогынты ясаячак.Шуңа күрә суыткыч гадәттә дефоаминг агенты белән кулланыла.Дефоаминг эшләрен тәэмин итү өчен, традицион силикон һәм полиэтер гадәттә начар гидрофилик.Судагы эреткеч бик җиңел, аннан соң чистартуда кремний вафин өслегендә кала, ак тап проблемасына китерә.Theәм суыткычның төп компонентлары белән яхшы туры килми, Шуңа күрә ул ике компонентка ясалырга тиеш, төп компонентлар һәм дефоаминг агентлары суга кушылды, куллану процессында, күбек ситуациясе буенча, сан белән идарә итә алмыйлар. антифоам агентларын куллану һәм дозасы, аноаминг агентларының артык дозасын рөхсәт итә ала, кремний вафин өслеге калдыкларының артуына китерә, Эшләү дә уңайсыз, Ләкин, чималның түбән бәясе һәм чималның дефоаминг агенты аркасында материаллар, Шуңа күрә, күпчелек суыткыч бу формула системасын куллана;Тагын бер суыткыч яңа дефоаминг агентын куллана, төп компонентлар белән яхшы яраклаша ала, Кушымталар юк, аның күләмен эффектив һәм санлы контрольдә тота ала, артык куллануны тыя ала, Күнегүләр шулай ук ​​бик уңайлы, тиешле чистарту процессы белән, Аның калдыкларны бик түбән дәрәҗәгә контрольдә тотарга мөмкин, Япониядә һәм берничә җитештерүче бу формула системасын кабул итәләр, ләкин, чималның бәясе зур булганга, аның бәя өстенлеге күренми.

. чыбык каучук катламга һәм резин тәлинкәгә кисә башлады, Кремний таяк клей һәм резин такта икесе дә эпокси резин продуктлары булганлыктан, аның йомшарту ноктасы нигездә 55 белән 95 between арасында, Әгәр каучук катламның йомшарту ноктасы яки резинасы булса тәлинкә түбән, ул кисү процессында җиңел җылынырга һәм йомшак һәм эреп бетергә мөмкин, корыч чыбыкка һәм кремний вафат өслегенә бәйләнгән, Алмаз сызыгының кисү сәләте кимегәнгә, яисә кремний вафлары алынган һәм чайыр белән буялган, Бер тапкыр бәйләнгәннән соң, юу бик кыен, Мондый пычрану күбесенчә кремний вафин читендә була.

. һәм кремний порошогының зурлыгын һәм зурлыгын бриллиант чыбык белән кисү кремний өслегендә adsorption җиңелрәк, чистартуны кыенлаштыра.Шуңа күрә суыткычның яңартылуын һәм сыйфатын тәэмин итегез һәм суыткычтагы порошок күләмен киметегез.

. тулы сызык, суыткыч һәм миномет кисү зур аермага ия, шуңа күрә чистарту процессы, чистарту агентының дозасы, формула һ.б. бриллиант чыбык кисү өчен тиешле төзәтмәләр кертергә тиеш.Чистарту агенты - мөһим аспект, чистарту агентының формула сирфактанты, эшкәртү бриллиант чыбык кисүче кремний вафаны чистарту өчен яраксыз, бриллиант чыбык кремний вафаты, максатлы чистарту агентының составы һәм өслеге калдыклары булырга тиеш. чистарту процессы.Aboveгарыда әйтелгәнчә, миномет кисүдә дефоаминг агентының составы кирәк түгел.

.

Бәрхет чәчләрен ак итеп күрсәтү проблемаларын киметегез

(1) Суыткычны яхшы дисперсия белән куллану өчен, һәм суыткыч кремний вафаты өслегендә суыткыч компонентларның калдыкларын киметү өчен аз калдыклы дефоаминг агентын кулланырга тиеш;

2) Кремний вафин пычрануны киметү өчен тиешле клей һәм резин тәлинкә кулланыгыз;

3) суыткыч кулланылган суда калдык калдыклары булмасын өчен чиста су белән эретелә;

(4) Алмаз чыбык киселгән кремний вафаты өслегендә чистарту активлыгын кулланыгыз;

.Шул ук вакытта, ул шулай ук ​​су температурасының, агымның һәм юу алдыннан вакытның яхшыруын арттырырга, кремний порошогының вакытында юылуын тәэмин итәргә мөмкин.

(6) Кремний вафаты чистарту өстәленә куелгач, аны шунда ук эшкәртергә, һәм чистарту процессында кремний вафинын дымлы тотарга кирәк.

(7) Кремний вафаты дегумминг процессында өслекне дымлы тота, һәм табигый рәвештә кипә алмый.(8) Кремний вафинны чистарту процессында, кремний вафаты өслегендә чәчәк җитештерүне булдырмас өчен, һавада булган вакыт мөмкин кадәр кыскартылырга мөмкин.

(9) Чистарту хезмәткәрләре бөтен чистарту процессында кремний вафин өслегенә турыдан-туры кагылырга тиеш түгел, һәм бармак эзе бастырмас өчен резин перчаткалар киеп йөрергә тиеш.

.Аның принцибы ярымүткәргеч кремний ваферның SC1 чистарту эремәсенә охшаган (гадәттә сыеклык 1 дип атала).Аның төп механизмы: кремний вафин өслегендәге оксидлаштыру пленкасы H2O2 оксидлашуы белән барлыкка килә, ул NaOH белән коррозияләнә, һәм оксидлашу һәм коррозия берничә тапкыр була.Шуңа күрә кремний порошогы, резин, металл һ.б. белән бәйләнгән кисәкчәләр дә коррозия катламы белән чистарту сыеклыгына төшәләр;H2O2 оксидлашуы аркасында, вафин өслегендәге органик матдәләр CO2, H2Oга таркала һәм чыгарыла.Бу чистарту процессы кремний вафат җитештерүчеләре булды, бу процессны кулланып, бриллиант чыбык кисүче монокристалл кремний вафаны, эчке һәм Тайваньдагы кремний вафаны һәм башка батарея җитештерүчеләре бәрхет ак проблема шикаятьләрен кулланалар.Шулай ук ​​батарея җитештерүчеләре шундый ук бәрхетне чистарту процессын кулланганнар, шулай ук ​​бәрхет ак күренешен нәтиҗәле контрольдә тоталар.Күрергә була, бу чистарту процессы кремний вафин чистарту процессында кремний вафин калдыкларын чыгару өчен, батарея ахырында ак чәч проблемасын эффектив чишү өчен өстәлә.

Йомгаклау

Хәзерге вакытта, бриллиант чыбык кисү бер кристалл кисү өлкәсендә төп эшкәртү технологиясенә әверелде, ләкин бәрхет ак ясау проблемасын пропагандалау процессында кремний вафаты һәм батарея җитештерүчеләре борчыла, бу батарея җитештерүчеләренә бриллиант чыбык кисү кремнийына китерә. вафер ниндидер каршылыкка ия.Ак мәйданны чагыштыру анализы аша ул, нигездә, кремний вафаты өслегендәге калдык аркасында килеп чыга.Күзәнәктә кремний вафин проблемасын яхшырак булдырмас өчен, бу кәгазь кремний вафиның өслеген пычрату чыганакларын, шулай ук ​​җитештерүне яхшырту тәкъдимнәрен һәм чараларын анализлый.Ак тапларның саны, төбәге һәм формасы буенча сәбәпләрне анализларга һәм яхшыртырга мөмкин.Бигрәк тә водород пероксиды + алкалы чистарту процессын кулланырга киңәш ителә.Уңышлы тәҗрибә шуны күрсәтте: гомуми сәнәгать инсайдерлары һәм җитештерүчеләре өчен бриллиант чыбык кисү кремний вафаты бәрхетне агарту проблемасын эффектив булдыра ала.